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Vishay推出最低导通电阻P沟道功率MOSFET
来源: | 作者: | 发布时间: 2021-03-03 | 4500 次浏览 | 分享到:

  器件在4.5V下导通电阻仅为34mΩ,具有1.6mm x 1.6mm的占位面积和不到0.8mm的高度,可在1.2V的电压下导通,适用于更低电压的手持式电子产品

  宾夕法尼亚、MALVERN - 2011 年 8 月 17 日 - 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外,SiB437EDKT是唯一能在1.2V下导通的此类器件。

  新款SiB437EDKT可用做智能手机、MP3播放器、便携式多媒体播放器、数码相机、电子书和平板电脑等手持设备中的负载开关。器件的热增强Thin PowerPAK® SC-75封装占位面积小,超薄的高度只有0.65mm,能够实现更小、更薄的终端产品,而低导通电阻意味着更低的传导损耗,节约能源,并在这些设备中最大化电池的运行时间。

  MOSFET可在1.5V和1.2V电压下导通,能够搭配手持设备中常见的更低电压的栅极驱动和更低的总线电压,从而省去了电平转换电路的空间和成本。在手持设备中电池电量较低,并且要求消耗尽可能少的能量时,这种MOSFET尤其有用。

  SiB437EDKT在4.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有34mΩ、63mΩ、84mΩ和180mΩ的超低导通电阻。同样采用1.6mmx1.6mm占位、高度小于0.8mm的最接近的P沟道器件在4.5V、1.8V和1.5V下的导通电阻为37mΩ、65mΩ和100mΩ,这些数值分别比SiB437EDKT高8%、5%和16%。

  SiB437EDKT经过了100%的Rg测试,符合IEC 61249-2-21的无卤素规定,符合RoHS指令2002/95/EC。MOSFET的典型ESD保护为2000V。

  新款SiB437EDKT TrenchFET功率MOSFET现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十二周到十四周。

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