东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO: 6502)推出了基于第四代600V系统超级结(super junction)MOSFET“DTMOSIV”系列的高速二极管。新系列采用最新的单外延工艺打造，其每单位面积导通电阻(RON•A)较现有产品降低了约30%(注1)，处于业界领先水平。(注2)另外，高速寄生二极管的反向恢复时间约为现有产品的三分之一(注3)，降低了损耗并有助于提高功效。

　　(注1) 与此前的“DTMOSIII”系列比较。东芝数据。

　　(注2) 截至2013年4月2日。东芝数据。

　　(注3) 与现有的“TK16A60W”产品比较。截至2013年4月3日。东芝数据。

　　应用

　　开关电源，微逆变器，适配器和光伏逆变器

　　主要特性

　　1. RON•A较现有产品(DTMOSIII系列)降低了30%。

　　2. 高速寄生二极管的反向恢复时间约为现有产品的三分之一。

　　3. 采用单外延工艺打造，确保高温时的导通电阻和反向恢复时间只会小幅增加。

　　4. 宽广的导通电阻范围(0.65-0.074Ω)

　　5. 多种封装